『エア･ウォーター』特許出願分野ランキング (2023-11-28時点)

2023-11-28時点でのエア･ウォーターの特許出願分野ランキング(10年分)です。

【1位】37件, 定置設備

【2位】25件, 消火剤の放出

【3位】24件, ガスまたは蒸気の分離；ガスからの揮発性溶剤蒸気の回収；廃ガスの化学的または生物学的浄化，例．エンジン排気ガス，煙，煙霧，煙道ガスまたはエアロゾル

【4位】24件, 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に適用される方法または装置

【5位】19件, １分子中に１個より多くのエポキシ基を含有する重縮合物；エポキシ重縮合物と単官能性低分子量化合物との反応によって得られる高分子化合物；エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて１分子中に１個より多くのエポキシ基を含有する化合物を重合することにより得られる高分子化合物

【6位】19件, 化粧品あるいは類似化粧品製剤

【7位】18件, ガス状化合物の分解による化学的被覆であって，表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの，すなわち化学蒸着法

【8位】16件, 液化または凝固の使用を含む気体混合物の成分を分離する方法または装置

【9位】16件, 診断のための検出，測定または記録；個人識別

【10位】15件, 音を伝達し，導きまたは指向させるための方法または装置一般；騒音または他の音響波を防ぎ，または減衰させるための方法または装置一般

【11位】14件, プラズマの生成；プラズマの取扱い

【12位】14件, 整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（Ｈ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ１０／００，Ｈ１０Ｎが優先；半導体本体または電極以外の細部Ｈ０１Ｌ２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００

【13位】14件, 聴診機器

【14位】13件, 容器の細部または容器への充填あるいは容器からの放出の細部

【15位】13件, 材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質

【16位】12件, 重合方法

【17位】11件, 弁，加熱手段等の補助装置を有するまたはこれらを有しないノズル，スプレーヘッドまたは他の排出口

【18位】11件, 水，廃水または下水の処理

【19位】11件, 反応ガスの化学反応による単結晶成長，例．化学蒸着による成長

【20位】11件, 分与の目的で貯蔵容器からの重力による液体の流れを制御するための装置または器具

【21位】10件, エポキシ樹脂の組成物；エポキシ樹脂の誘導体の組成物

【22位】10件, 金属質材料表面への非金属元素のみの固相拡散；表面と反応性ガスとの反応による金属質材料の化学的表面処理，であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残すもの，例．化成被覆，金属の不働態化

【23位】10件, 圧力をかけていない容器から液化または固化ガスを放出する方法または装置

【24位】9件, 水素；水素を含有する混合ガス；水素を含有する混合物からのそれの分離；水素の精製