2024-11-12時点での東京応化工業の最新特許30報です。
●エッチングマスクパターンの製造方法及びエッチングマスクパターン形成用樹脂組成物
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-159590/11/ja
●輻射シート、放熱板、放熱装置、及び輻射シートの製造方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-159497/11/ja
●エッチングマスクパターン形成用樹脂組成物、及びエッチングマスクパターンの製造方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-158543/11/ja
●化合物及び酸拡散制御剤
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-155939/11/ja
●表面修飾ポリイミド多孔質膜、及び表面修飾ポリイミドの製造方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-151472/11/ja
●レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-149608/11/ja
●レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-147880/11/ja
●感光性樹脂組成物およびその製造方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-143774/11/ja
●改質金属酸化物粒子の製造方法、改質金属酸化物粒子、光硬化性組成物、硬化物
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-138960/11/ja
●電磁波吸収体、及び電磁波吸収体形成用ペースト
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-137132/11/ja
●硬化物層を基板から剥離する剥離方法、パターン化された硬化物層を備える基板の製造方法、及び剥離液
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-135730/11/ja
●処理液、基板の処理方法、及び半導体基板の製造方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-7561261/15/ja
●膜形成用組成物、レジストパターン形成方法及びかご型シルセスキオキサン
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-134101/11/ja
●認証用画像及び認証システム
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-133488/11/ja
●レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び酸発生剤
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-7558440/15/ja
●検査方法、樹脂組成物の製造方法、及びレジスト組成物又は熱硬化性組成物の製造方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-7558375/15/ja
●ケイ素含有樹脂組成物精製品の製造方法、パターン形成方法、及びケイ素含有樹脂組成物精製品
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-131880/11/ja
●レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び酸拡散制御剤
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-131484/11/ja
●レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素高分子化合物、及び化合物
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-130062/11/ja
●化学増幅型ポジ型感光性組成物、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-129796/11/ja
●被処理体の処理方法、ボロン含有物を除去するための除去液、及び基板の処理方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-126307/11/ja
●レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-120703/11/ja
●レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-120702/11/ja
●レジスト組成物精製品の製造方法、レジストパターン形成方法、及びレジスト組成物精製品
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-120591/11/ja
●レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-119270/11/ja
●基板支持体
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-118645/11/ja
●半導体装置の製造方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-118644/11/ja
●電磁波吸収体、及び電磁波吸収体形成用ペースト
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-117814/11/ja
●レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び、酸発生剤
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-115229/11/ja
●レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1801/PU/JP-2024-115169/11/ja
